SiC-SBD

FDC2AT10S65NEW

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数据表

  • 状态：量产中

SiC肖特基势垒二极管（2G系列）
650V, 10A

特征

  • 低VF特性
  • 高浪涌耐量 (IFSM)
  • 高速开关特性

用途

  • 开关电源
  • UPS
  • 太阳能

设计规范

接线 单
VRRM(V) 细节 650
IF(A) 细节 10
IFSM(A) 细节 82
Tvj max(℃) 细节 175
VF(V) 细节 1.3
IR(μA) 细节 50
封装 TO-220F-2

文档工具

产品信息 第2代 SiC肖特基势垒二极管
选型手册 IGBT/SiC选型手册

外观

TO-220F-2

电路图

外形图

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